Impureza Isoeletrônica de Nitrogênio em Materiais e Heteroestruturas de Materiais Semicondutores
Ano: 2008 | Volume: 10 | Número: 1
Autores: Sidney Alves Lourenço, Pedro Pablo González-Borrero, Ivan Frederico Lupiano Dias, José Leonil Duarte Autor Correspondente: Sidney Alves Lourenço | [email protected]
Palavras-chave: impurezas isoeletrônicas de n, semicondutores, modelo bandanticrossing
Resumos Cadastrados
Resumo Português:
Neste trabalho, apresentamos uma revisão dos efeitos da impureza isoeletrônica de nitrogênio nas pro
Resumo Inglês:
This paper presents a review of the effects of nitrogen isoelectronic impurity upon optical and elec
